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irf3205场效应管参数

2025-11-20 00:01:48

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irf3205场效应管参数!时间紧迫,求快速解答!

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irf3205场效应管参数】IRF3205 是一款常见的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源开关、电机控制、DC-DC 转换器等电路中。由于其良好的导通特性和较低的导通电阻,IRF3205 在工业和消费电子领域都有广泛应用。以下是对 IRF3205 场效应管主要参数的总结。

一、IRF3205 主要参数总结

参数名称 参数值/说明
型号 IRF3205
类型 N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 55 V
最大栅源电压 ±20 V
最大连续漏极电流 110 A(@ 25°C)
导通电阻(Rds(on)) 8.5 mΩ(@ 25°C, 10 A)
开关时间 45 ns(上升时间)
20 ns(下降时间)
热阻(θjc) 1.7°C/W(@ 100%负载)
工作温度范围 -55°C ~ +175°C
封装类型 TO-220AB
阈值电压(Vth) 2.0 ~ 4.0 V(@ 250 μA)
栅极电荷(Qg) 115 nC(@ 10 V)
功率耗散 150 W(@ 25°C)

二、关键性能分析

IRF3205 的最大漏源电压为 55V,适用于中等功率应用。其导通电阻仅为 8.5mΩ,表明在高电流下具有较低的损耗,适合用于高效能的开关电路。同时,其栅极电荷较低,有助于提高开关速度,减少开关损耗。

该器件具备较高的工作温度范围,可在较恶劣环境下稳定运行。此外,IRF3205 的封装为 TO-220AB,便于散热和安装,适用于需要良好热管理的应用场景。

三、典型应用场景

- 电源开关电路

- DC-DC 转换器

- 电机驱动模块

- 电池管理系统

- 低电压大电流开关应用

如需更详细的电气特性或使用建议,建议参考 IRF3205 的官方数据手册,以确保设计的准确性和可靠性。

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